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元件参数资料
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参数目录42724
> SI1300BDL-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
型号:
SI1300BDL-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1300BDL-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DL-T1-E3 Series SOT-323
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
850 毫欧 @ 250mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.84nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
35pF @ 10V
功率 - 最大
200mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SC-70-3
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI1300BDL-T1-E3CT
查看SI1300BDL-T1-E3代理商
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